倍加福接近開關NCN8-18GM40-N0大量現貨庫存

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P+F接近開關工作原理簡介：當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度，d是薄片的厚度。由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號，同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。霍爾開關的輸入端是以磁感應強度B來表征的，當B值達到一定的程度(如B1)時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和其他傳感器類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型(雙極性)、雙信號輸出之分。

產品應用：

傳感器、執行器、編碼器、電機馬達，工業相機

工廠自動化過程控制

包裝標簽打印設備

工業儀器設備

EMS電路板組件

工業安全光柵光幕

設備電池、半導體

現場總線: DeviceNet, CANopen, Profibus, Ethernet, 

船舶電子NMEA 2000、軌道交通

LED戶外顯示屏、戶外LED照明

NJ15+U1+W            

NBB5-18GM50-E0             

NBN8-18GM50-E2-V1          

NJ20+U1+E2

NBB5-18GM50-E2       

NBN8-18GM40-Z0            

 NJ20+U1+W                  

NBB10-30GM50-E0     

NBN8-18GM60-WS       

NJ30+U1+W                  

NBB10-30GM50-E2            

NBN8-18GM60-WO,        

NJ30+U1+E2           

NBB15-30GM50-WS           

 NBN15-30GM50-E2            

NJ1.5-8GM-N

NBB15-30GM50-WO      

NBN15-30GM50-E0           

 NJ2-12GM-N                 

NBB20-L2-E2-V1    

NBN15-30GM40-Z0      

NJ4-12GM-N                

 NBN4-12GM50-E0-V1          

NBN4-12GM50-E2

LVL-T1-G3S-E5PG-NA   

NBN4-12GM50-E0             

NCN25-F35-A2-250-V1        

NJ40+U1+W

NJ5-18GM-N           

NBN40-L2-E2-V1            

 NBN40-L2-A2-V1            

 NBN8-18GM50-E2-V1

NBB2-12GM50-E0       

NBN4-12GM50-E2-V1          

NJ4-12GM40-E2              

NBB2-12GM50-E2        

NBB2-12GM50-E0-V1    

NBN5-F7-E2                 

NBN5-F7-E0                 

NJ4-12GM40-E2-V1      

NBB2-12GM50-E2-V1    

NBN8-18GM50-E0             

NJ8-18GM-N                 

NBB4-12GM50-E0-V1

NBN8-18GM50-E2       

NJ15+U1+E2                 

NBB4-12GM50-E2-V1          

NBN8-18GM50-E0-V1 

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